Alle Speichertypen im überblick
 

C-
DRAM		 Cached DRAM
ist ein von Mitsubishi entwickelter synchroner Speicher.
Ein DRAM mit integrierten 2nd Level Cache der von einem externen Cache Controller verwaltet wird. Beim lesen: Schneller zugriff wenn die Daten im Cache sind. Langsam bei Cache Miss. Beim Schreiben: Die zugriffe finden unter Umgehung des Caches stat. Im PC-Bereich keine Verbreitung.
DIMM Dual Inline Memory Module
Diese 168-poligen Module haben auf jeder Seite der Platine separate Anschlüsse.
Es gibt sie als 64-bit (non-parity), 72-bit (parity) und 80-bit (ECC) Module.
Sie haben zwei Einkerbungen an der Kontaktleiste, PS/2 Module haben nur eine Einkerbung. Wie das SIMM ist auch die Leiterplatte des DIMM mit DRAM-Chips bestückt.
Hier unterscheidet man 3 Arten der Bestückung:
FPM ----- Fast Page M ode; siehe auch EDO,
EDO ----- Extended Data O ut, und
SDRAM - Synchronous Dynamic Random Access Memory.
Die 168-poligen DIMMs werden momentan standardmäßig in folgenden Kapazitäten ausgeliefert: 
Kapazität non-parity parity ECC
    8 MB   1 M x 64   1 M x 72   1 M x 80
  16 MB   2 M x 64   2 M x 72   2 M x 80
  32 MB   4 M x 64   4 M x 72   4 M x 80
  64 MB   8 M x 64   8 M x 72   8 M x 80
128 MB 16 M x 64 16 M x 72 16 M x 80

Auf dem DIMM werden die Adresse- und Kontrollsignale gebuffert. Sind mehrere Module installiert, reduziert dies die effektiven Ladezeiten dieser Signale. Speziell Rechnersystemen mit einer hoher Anzahl von Speicherzugriffen werden damit die Daten schneller zur Verfügung gestellt
SO-
DIMM		 Small Outline DIMM
Sind wie DIMMs aufgebaut. Durch ihre Bauform und den niedrigen Stromverbrauch sind sie ideal für Notebook-Systeme. Diese Module haben (wie bei einem 168-poligen DIMM) auf jeder Seite der Platine separate Anschlüsse.
SO-DIMM gibt es als 72-poliges (nicht zu verwechseln mit einem 72-poligen SIMM) und als 144-poliges Modul. Es gibt 72-polige SO-DIMM sowohl als 32-bit (non-parity) Module als auch mit 36-bit (parity) Bestückung.
Bei den 144-poligen SO DIMM gibt es ebenfalls 64-bit (non-parity) und 72-bit (parity) Module Wie bei SIMM und DIMM ist auch die Leiterplatte des SO DIMM mit DRAM-Chips bestückt.
Wie beim DIMM unterscheidet man die 3 Arten FPM, EDO und SDRAM.
72-polig 144-polig

Kapazität

non-parity

parity

Kapazität

non-parity

parity

1 MB
2 MB
4 MB
8 MB
16 MB
32 MB
64 MB
128 MB

256kx32
512kx32
1Mx32
2Mx32
4Mx32
8Mx32
16Mx32
32Mx32

256kx36
512kx36
1Mx36
2Mx36
4Mx36
8Mx36
16Mx36
32Mx36

2 MB
4 MB
8 MB
16 MB
32 MB
64 MB
128 MB
256 MB

256kx64
512kx64
1Mx64
2Mx64
4Mx64
8Mx64
16Mx64
32Mx64

256kx72
512kx72
1Mx72
2Mx72
4Mx72
8Mx72
16Mx72
32Mx72
S-
DIMM		 Synchrone Dual Inline Memory Module
Im gegensatz zu den EDO- oder FPM-DRAMs verfügen SDIMMs über ein Taktsignal, das synchron zum Prozessortakt arbeitet. Daher erfolgen das Anlegen von Zeilen- und Spaltenadressen und die Datenübergabe nicht mehr wie bisher in der langsameren asynchronen Weise.
SDIMM ist schneller als EDO, was schon bei derzeitigen Rechnern mit Memory- Taktraten von 66 MHz zum Tragen kommt, erst recht bei Taktraten von 83 MHz, 100 MHz und mehr. Anders als herkömmliche SIMMs besitzen SDIMM-Module eine Datenbreite von 64 Bit, wodurch die Notwendigkeit der paarweisen Anordnung auf den Speicherbänken entfällt und sie arbeiten aufgrund ihrer synchronen Betriebsart stabiler und werden lediglich mit einer 3,3V-oder 5V Betriebsspannung versorgt.
D-
RAM		 Dynamic Random Access Memory
Die Dynamischen Speicher sind der Standard. Ihre Zugriffszeit liegt z.Z. bei 60ns. Es werden aber auch vereinzelt schon 50ns Chips gesichtet. Ältere Rechner (z. B. 386er, 486er, Apple II, SUN SPARC IPX, ...) arbeiten aber auch noch mit 70ns und 80ns. Die Zugriffszeit kann man bei fast allen Typen an der Endung der Bezeichnung des Herstellers ablesen.
Aufdruck Zugriffszeit Aufdruck Zugriffszeit
-12 120ns; aber auch 12ns; -80 / -8 80ns
-10 100ns; aber auch 10ns -70 / -7 70ns
-45 45ns (z.B. Grafikkarten) -60 / -6 60ns
-20 20ns (z.B. 2nd Level Cache) -50 / -5 50ns
-15 15ns (z.B. 2nd Level Cache)    

Speichermodule werden mit unterschiedlicher Anzahl von DRAM-Chips bestückt.
Als Beispiel Module Anzahl pro Modul
30pol SIMM mit Parity    3 / 9 / 12 DRAM-Chips
30pol SIMM ohne Parity 2 / 4 / 8   DRAM-Chips
72pol SIMM mit Parity    3 / 9 / 12 DRAM-Chips
72pol SIMM ohne Parity 2 / 4 / 8 / 16 / 24 / 36 DRAM-Chips.

Benötigt einem Rechner mehrere Module pro Speicherbank, sollten diese immer mit Modulen der gleichen Bauart (gleiche Anzahl von Chips pro Modul), der gleichen Zugriffszeit und dem gleichen Hersteller aufgerüstet werden. Oft sind gerade 386er und 486er Hauptplatinen mit eine Mischbestückung nicht einverstanden und verhalten sich nicht korrekt
EDO-
DRAM		 Extended Data Out DRAM
Ist ein FPM-DRAM, aber 10 - 15% schneller, wenn er vom Board unterstützt wird sonst läuft der Rechner wie mit Standard FPM-Modulen.. Beim Lesen einer Speicherzelle bleiben die Daten länger am Ausgang liegen. Der Chipsatz kann nun "überlappend" lesen. Während die Daten noch ausgelesen werden, kann bereits eine weitere Adresse an den Baustein angelegt werden. Dies verbessert den Lese- aber nicht den Schreibzugriffe. Eine Weiterentwicklung ist das BEDO-DRAM (Burst EDO DRAM) das auch die Schreibzugriffe beschleunigen soll, es wurde nur von sehr wenigen Chipsätzen unterstützt und ist wieder vom Markt verschwunden.
FPM-
DRAM
PM-
DRAM		 Page Mode DRAM = Fast Page DRAM
Um sich bei fortlaufendem Speicherzugriff (alle Speicherstellen liegen auf der selben Seite) das Anlegen der immer gleichen Zeilenadresse zu ersparen, erlauben PM-DRAMs den sogenannten Fast-Page-Modus: Es genügt, die Zeilenadresse einmal und dann die jeweilige Spaltenadresse anzugeben. Dieser Zugriff kann gegenüber dem konventionellen Zugriff (jedesmal Zeile und Spalte) erheblich schneller sein.
R-
DRAM		 Rambus DRAM = Direkt Rambus DRAM
Dieser Speichertyp mit einer Bandbreite von bis zu 600MByte/s wird über einen speziellen Bus, eben den "RAM bus" angesprochen. Der ursprüngliche Rambus ist 8 bit breit, wird mit 250 MHz getaktet und erlaubt den Anschluß von bis zu 32 Speicherbausteinen. Die "Direct Rambus"- Variante, eine Weiterentwicklung von RDRAM, wird von Intel für zukünftige Speicherentwicklungen favorisiert und für Ende 1998 erwartet. Der auf 16 Bit verbreiterte Rambus hat eine Bandbreite von 1,6 GByte/s.
RIMM Rambus Inline Memory Module
Diese Module waren ursprünglich nur für RDRAM vorgesehen, sollen aber auch mit SDRAM bestückt werden
SD-
RAM		 Synchronous DRAM Sie können durch längere Burstzuklen wesentlich schneller ausgelesen werden, als normale DRAMs. Intern sind sie in mehreren Bänken aufgebaut, so daß sie , die abwechselnd (interleaved) betrieben werden Können. SDRAM unterstützt auch die Hyper Page Mode. SDRAM kann mit bis zu 125 MHz betrieben werden.
!!! Achtung !!! Zur Zeit sind 4-clock SDRAM-Module aktuell. Bei einigen Motherboards mit älteren VX und TX Chip-Sets werden aber 2-clock Module benötigt.
Auf den meisten mit SDRAMs bestückten Modulen befindet sich ein 8-poliges EEPROM. Das alle wichtigen Informationen über das Modul, z.B. Speichertyp, Größe, Geschwindigkeit, Spannungsversorgung, Anzahl der Adress-Reihen / Spalten, Anzahl der Modulbänke, beinhaltet.
Diese Daten werden vom Rechner-BIOS für die richtige Konfiguration verwendet.
SIMM Single Inline Memory Module
Das "kleine" SIMM-Modul hat 30 Anschlüsse und ist 8 Bittig oder (wenn ein Paritätsbit vorgesehen ist) 9 bittig organisiert. Moderne Boards unterstützen diese Bauform nicht mehr. Für Standars-SIMMs werden auch Adapter angeboten, damit diese in PS/2-SIMM-Sockel passen. Dabei entstehen allerdings Signalverzögerungen , so daß in Situationen mit kritischem Timing von diesen Adaptern abgeraten werden muß.
PS/2-
SIMM		 PS/2-Single Inline Memory Module
Diese Module mit 72 Pins (Anschlüssen) werden erstmals in IBM PS/2-Systemen verwendet und sind heute die Standard-Bauform. Sie sind 32 bittig (mit Parität 36 bittig) organisiert.
S-
SIMM

Single-sided SIMM
Es gibt 1, 4, 16, 32 und 64 MB-Module. Diese "Normalform" der SIMM-Organisation wird von allen Boards unterstützt. Alle Bänke eines Moduls werden über eine gemeinsame RAS-Leitung (für die Speicherzeile) angesprochen.
D-
SIMM

Double-sided SIMM
Es gibt 2, 8, 32, 64 und 128 MB-Module. Indem man doppelt soviel Speicher auf ein Modul packt, kann ein Modulsockel eingespart werden. Dabei befinden sich zwei Speicherbänke auf einem Modul, die über getrennte RAS-Leitungen abwechselnd angesprochen werden können.
Dieser Speicherzugriff muß vom Board unterstützt werden Bei Pentium-Systemen, die mit nur einem Modul ausgestattet sind ("single-bank-modus") ist kein effizienter Speicherzugriff mehr möglich, die Systemleistung kann deutlich einbrechen!
Von der Modulgröße kann nicht unbedingt auf die Bauform geschlossen werden. Es gibt mittlerweile 8 und 32 MB- single-sided- Module, und 16 MB als double-sided. Ansteuerungsprobleme durch das Board sind hier vorprogrammiert.
Moderne Boards erkennen den Speichertyp automatisch. Bei SIMMs werden dazu einfach verschiedene Zugriffsverfahren durchprobiert; für DIMMs gibt es mit SPD (Serial Presence Detect) eine wesentlich "sauberere" Möglichkeit: In einem kleinen Lesespeicher wird der Modultyp vom Hersteller abgelegt und vom BIOS beim Systemstart ausgelesen.
SIP Single Inline Package
Diese Module werden heutzutage nicht mehr verwendet. Sie sind technisch gesehen identisch mit SIMMs und unterscheiden sich nur durch ihre Kontakte (Beinchen). In mobilen Rechnern werden diese Speicher auch heute noch eingelötet.
SL-
DRAM		 Sync Linc DRAM
Die Entwicklung von RDRAM ist mit Lizenzabgaben an die Firmen Rambus und Intel gebunden, deshalb versucht das SyncLink-Industriekonsortium einen alternative zu entwickeln. Bei einem Bustakt von bis zu 800 MHz soll eine Datentransferrate von 1,6-3,2 GByte/s möglich sein.
S-
RAM

Static RAM
Ein Statischer Speicher ist wesentlich schneller und stromsparender, er benötigt keinen Refresh. Dafür ist er auch wesentlich teurer. Die Speicherung bleibt - ohne Refresh - solange erhalten wie die Versorgungsspannung anliegt, außerdem zerstört das Lesen deren Inhalt nicht. SRAM wird auch in PCMCIA Karten, mit einer Batterie gebuffert, eingesetzt. Technisch gesehen speichert SRAM die Information in einem Flip-Flop, er benötigt pro Bit zwei Transistoren, während DRAM die Information in Form von Ladung in einem Kondensator speichert.
Bei SRAM kann man unterscheiden:
A-Cache (Asynchronous SRAM): Da SRAMs keinen Refresh benötigen, braucht kein Taktsignal angelegt zu werden.
PB-Cache (Pipeline Burst SRAM): Nachdem ein Speicherzugriff stattfand, werden Adressen für folgende Zugriffe automatisch generiert. Anlegen der Folgeadressen kann entfallen.
Wie bei DRAM ist die Zugriffszeit ein kritischer Wert: Für einen externen Takt von 66MHz benötigt man A-Cache mit maximal 15ns oder PB-Cache mit max. 8,5ns Zugriffszeit. PB-Cache ist heute Standard; wenn Ihnen A-Cache angeboten wird, sollten Sie dankend ablehnen.
M-
DRAM		 Multibank DRAM ( VIDEO)
Dieser schnelle Speichertyp besteht aus 256 KB großen Speichereinheiten, die sich gegenseitig überlappen (Interleaving). Ein synchrones 100 MHz Taktsignal ermöglicht, daß die Daten verzögerungsfrei ausgelesen werden. Daraus ergibt sich ein Datendurchsatz von Faktor 4 bis 5 gegenüber normalen DRAMs
 V-
RAM		 Video RAM  ( VIDEO)
Diese RAMs ermöglichen ein fast gleichzeitiges lesen und schreiben, da für jeden Ein- und Ausgang dieses Moduls ein eigener Adress- und Datenbus zur Verfügung steht (Dual Ported). Die Datenübertragung (Bandbreite) wird gegenüber Standardspeicher fast verdoppelt
W-
RAM		 Windows RAM  ( VIDEO)
Dieser schnelle, von Samsung entwickelte Speicher auf Basis von VRAMs hat einen höheren Datendurchsatz und eine höhere Kapazität pro Chip
   
 
ENDE



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